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国产替代存储拐点将至,新需求点亮曙光

金融科学家

5 月 22, 2023

价格端,存储器价格已跌破历史最低位置(当前DRAM价格距离最高点下跌超60%,部分料号现货价与合约价已经出现倒挂),价格潜在下跌空间较小。供给端,原厂库存开始减少,模组厂商库存逐渐见底,主动去库存效果明显。需求端,服务器新世代CPU的推出和AI需求增加,将提升DDR5、HBM等高性能产品及高密度模组的需求。我们认为存储价格有望逐渐接近下行周期底部,并看好2023年二三季度存储板块迎来止跌。根据ICInsights的数据,2021年DRAM在整个存储市场的市场份额约为56%,Flash闪存的市场份额约为43%,其中NAND闪存为41%,NOR闪存为2%,其他存储芯片(EEPROM、EPROM、ROM、SRAM)将会缓慢成长,但大幅抢占市场的可能性较小。

2024年NAND市场规模有望达684亿美元,随着NAND原厂陆续缩减资本开支,NAND产能正在逐渐收敛,库存去化正在进行。我们看好原厂和渠道的库存水位或在23年Q2或Q3见顶,NAND价格出现弹性,2024年NAND市场有望实现复苏。目前NAND行业形成了三星海力士、Solidigm、美光、铠侠、WDC六家公司同台竞争的格局,2022Q3的CR3达65%,CR6接近95%,随着WDC与铠侠的合并谈判急速,我们预计未来行业集中度将进一步提高。美光、三星和海力士都有望在23年将产能转进200层以上,Solidigm以及铠侠/WDC将落后一世代的制程。3DNAND解决了2D结构下“闪存缩放限制”的问题,大容量、高堆叠层数的3DNAND将是行业未来发展趋势。2023年全球DRAM市场规模有望达596亿,DRAM厂商产能增加幅度收敛,DRAM厂商扩产计划有所延后。数十年的大浪淘沙后,2022Q3DRAM市场CR3超过95%,三星、海力士和美光分别占比41%、29%和26%。DRAM可分为主流DRAM和利基型DRAM,随着国外大厂逐渐推出利基市场(三星21Q4停产DDR2,预计23年停产DDR3;海力士也计划停产DDR3),国内厂商将迎来份额提升的机会。EUV和3DDRAM或成未来趋势,从三大厂商的工艺制程上看,美光在制程上领先,三星在EUV的使用上领先。

2028年NORFlash市场规模有望达61亿美元,21-28年CAGR达14.4%,NORFlash十年低迷期已过,新应用的普及打开向上成长曲线。NORFlash凭借接口简单、轻薄、低功耗、系统总体成本更低、读取速度快等特点成为5G、TWS蓝牙耳机、AMOLED、IOT以及自动驾驶汽车等新应用的首选,NORFlash和NANDFlash性能和定位不同,二者可互补而不可替代。NORFlash市场经历数次洗牌,海外厂商逐渐撤退,中国台湾和中国大陆厂商趁势而起,2021年NORFlash市场份额主要被华邦、旺宏和兆易创新所占据,市占率分别为35%、33%和23%。我们测算得2026年HBM市场规模有望达56.9亿,2022-2026年CAGR有望达52%。“3D堆叠+近存储运算”突破内存容量与带宽瓶颈,HBM成为处理大量数据和复杂处理要求的理想解决方案。根据TrendForce的数据,2022年三大原厂HBM市占率分别为SK海力士约50%、三星约40%、美光约10%,随着海力士在HBM3产品上的持续领先,预计海力士市占率将继续走高。

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